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IXSN52N60AU1
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R G
1000
12
1000
10
750
T J = 125 ° C
R G = 10
9
800
T J = 125 ° C
I C = 52A
E off
8
E off
600
6
500
6
t fi
400
t fi
4
250
0
3
0
200
0
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
15
I C - Amperes
Fig.9 Gate Charge Characteristic Curve
I C = 52A
1000
R G - Ohms
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
12
V CE = 480V
100
T J = 125 ° C
9
6
3
0
10
1
0.1
0.01
R G = 2.7
dV/dt < 6V/ns
0
50
100
150
200
250
0
100
200
300
400
500
600
700
1
0.1
0.01
0.001
Q g - nCoulombs
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Diode
IGBT
V CE - Volts
Single Pulse
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
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